產(chǎn)品名稱(chēng)

中文名稱(chēng): 純進(jìn)口HQ graphene 硫化鈮晶體

英文名稱(chēng)：HQ graphene NbS2 Crystal

產(chǎn)品概述

NbS2 （2H相）是具有Tc ~6K和電荷密度波（CDW）體系的超導(dǎo)體。這些層通過(guò)范德華相互作用堆疊在一起，可以剝離成薄的二維層。NbS2屬于v族過(guò)渡金屬二硫族（TMDC）。

NbS2 (2H phase) is superconductor with a Tc ~6K and a charge density waves (CDW) system. Note that NbS2 also exists in the 3R-NbS2 phase .The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. NbS2 belongs to the group-V transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 2H NbS2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.2 cm, trigonal/hexagonal shaped and have a metallic appearance. 

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:~2mm

顏色: 灰黑色

產(chǎn)品特點(diǎn)

Electrical properties：Superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system.

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120°

Type：Synthetic

應(yīng)用領(lǐng)域

在電子學(xué)領(lǐng)域：

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）：硒化銦晶體由于其電學(xué)特性，如高載流子遷移率，可用于制造高性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。例如，在柔性電子設(shè)備中，基于硒化銦晶體的 FET 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的信號(hào)傳輸和處理。

存儲(chǔ)器：其電阻可在不同條件下發(fā)生變化，這使得它有望應(yīng)用于非易失性存儲(chǔ)器，如阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。比如，在一些高密度存儲(chǔ)芯片中，硒化銦晶體可以作為存儲(chǔ)單元，實(shí)現(xiàn)快速的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)和長(zhǎng)期的數(shù)據(jù)保存。

在光電領(lǐng)域：

光電探測(cè)器：對(duì)光具有較好的響應(yīng)，可用于制造高性能的光電探測(cè)器。例如，在紅外光探測(cè)中，硒化銦晶體能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，應(yīng)用于安防監(jiān)控系統(tǒng)或通信系統(tǒng)。

太陽(yáng)能電池：作為太陽(yáng)能電池的吸收層材料，能夠有效地吸收太陽(yáng)光并轉(zhuǎn)化為電能。比如，在新型薄膜太陽(yáng)能電池中，硒化銦晶體可以提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

在傳感器領(lǐng)域：

氣體傳感器：對(duì)某些特定氣體具有敏感性，可用于制造氣體傳感器來(lái)檢測(cè)環(huán)境中的有害氣體。例如，檢測(cè)一氧化碳、氨氣等氣體的濃度變化。

在納米技術(shù)領(lǐng)域：

納米器件：由于其在納米尺度下的特殊性質(zhì)，可用于構(gòu)建納米級(jí)別的電子和光電子器件。比如，利用硒化銦晶體制造納米級(jí)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，實(shí)現(xiàn)更小尺寸和更高性能的納米電路。